摘要：

　　國(guó)產(chǎn)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈再傳捷報(bào)!搭載芯粵能自主研發(fā)第一代1200V 16mΩ SiC MOSFET主驅(qū)芯片的整車(chē)800V電驅(qū)總成成功下線，該芯片封裝于芯聚能V2P功率模塊，其性能指標(biāo)全面對(duì)標(biāo)國(guó)際競(jìng)品，可靠性、良率表現(xiàn)優(yōu)異。芯粵能和芯聚能在新能源汽車(chē)主驅(qū)領(lǐng)域，已構(gòu)建了從芯片設(shè)計(jì)、制造、到封測(cè)的垂直整合一體化產(chǎn)業(yè)模式。依托資深團(tuán)隊(duì)和先進(jìn)工藝，雙方協(xié)作創(chuàng)新，共同打造出具備卓越出流能力的碳化硅芯片及模塊。展望未來(lái)，雙方將持續(xù)深化合作，繼續(xù)驅(qū)動(dòng)國(guó)產(chǎn)碳化硅器件在性能與成本上實(shí)現(xiàn)雙重躍升，加速碳化硅產(chǎn)業(yè)的國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程，全面支撐“國(guó)芯國(guó)用”戰(zhàn)略落地，持續(xù)為構(gòu)建自主可控、創(chuàng)新引領(lǐng)的中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈注入“芯”動(dòng)力。

　　在新能源汽車(chē)、風(fēng)光儲(chǔ)等新能源產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的強(qiáng)勁需求推動(dòng)下，我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)迎來(lái)了飛速發(fā)展的黃金時(shí)期。未來(lái)，我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)有望加速推進(jìn)從“跟跑”“并跑”到“領(lǐng)跑”的跨越。

　　近日，國(guó)產(chǎn)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈再傳捷報(bào)。搭載芯粵能自主研發(fā)第一代1200V 16mΩ SiC MOSFET主驅(qū)芯片的整車(chē)800V電驅(qū)總成成功下線，該芯片封裝于芯聚能V2P功率模塊。這標(biāo)志著兩家企業(yè)的芯片設(shè)計(jì)能力、晶圓廠制造工藝成熟度均達(dá)到車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅芯片行業(yè)主流水準(zhǔn)，成功躋身全球少數(shù)具備車(chē)規(guī)主驅(qū)碳化硅芯片供應(yīng)能力的廠商行列，為我國(guó)新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展注入了強(qiáng)勁動(dòng)力。

　　主驅(qū)芯片性能卓越，關(guān)鍵指標(biāo)表現(xiàn)優(yōu)異

　　芯粵能已構(gòu)建平面與溝槽碳化硅工藝平臺(tái)，其近期量產(chǎn)上車(chē)的 1200V 16mΩ SiC MOSFET主驅(qū)芯片基于平面型第一代平臺(tái)工藝打造，性能指標(biāo)全面對(duì)標(biāo)國(guó)際競(jìng)品，可靠性、良率表現(xiàn)優(yōu)異，充分展現(xiàn)了公司在芯片設(shè)計(jì)、制造工藝及材料應(yīng)用上的集成優(yōu)勢(shì)。目前，芯粵能已形成“生產(chǎn)一代、開(kāi)發(fā)一代、預(yù)研N代”的格局。在技術(shù)路線上，第二代、第三代平面MOSFET工藝平臺(tái)持續(xù)優(yōu)化，并將分別在今年三季度和明年一季度推出;同時(shí)，第一代溝槽MOSFET工藝平臺(tái)已于今年上半年順利完成研發(fā)及可靠性考核。第二代溝槽MOSFET工藝平臺(tái)的開(kāi)發(fā)正穩(wěn)步推進(jìn)，預(yù)計(jì)將于明年初正式推出。

　　

 

　　芯粵能 SiC晶圓芯片

　　芯粵能研發(fā)副總監(jiān)曾祥表示，這款碳化硅芯片部分指標(biāo)優(yōu)于國(guó)際大廠主力出貨的1200V 16mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品。為確保第一代1200V 16mΩ SiC MOSFET芯片順利實(shí)現(xiàn)從0到1的上車(chē)跨越，芯粵能將可靠性置于首位。此外，曾祥強(qiáng)調(diào)，在客戶(hù)高標(biāo)準(zhǔn)要求下，芯粵能秉持比國(guó)際廠商更嚴(yán)苛的驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)，其產(chǎn)品壽命篩選標(biāo)準(zhǔn)提升至1500～2000小時(shí)，遠(yuǎn)超行業(yè)常規(guī)的1000小時(shí)。這款芯片在電驅(qū)及車(chē)廠驗(yàn)證中表現(xiàn)優(yōu)異，數(shù)十項(xiàng)測(cè)試均一次性通過(guò)，獲得客戶(hù)高度認(rèn)可，彰顯了芯粵能產(chǎn)品在可靠性方面的優(yōu)勢(shì)。

　　高性能碳化硅芯片要成功實(shí)現(xiàn)上車(chē)應(yīng)用，除了芯片本身的卓越性能外，還需要與之匹配的優(yōu)秀模塊設(shè)計(jì)與制造能力。在這一關(guān)鍵環(huán)節(jié)，芯聚能充分發(fā)揮其專(zhuān)業(yè)優(yōu)勢(shì)，基于芯粵能1200V 16mΩ SiC MOSFET主驅(qū)芯片，成功開(kāi)發(fā)出V2P功率模塊。整體來(lái)看，V2P功率模塊在降低功率損耗、提高系統(tǒng)效率、提升散熱性能以及支持高功率密度設(shè)計(jì)等方面均展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)，為新能源汽車(chē)的高效驅(qū)動(dòng)提供了強(qiáng)大動(dòng)力。芯聚能已有成熟的車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證體系，包括V2P在內(nèi)的車(chē)規(guī)產(chǎn)品均順利通過(guò)了模塊級(jí)AQG324認(rèn)證、電驅(qū)系統(tǒng)級(jí)整車(chē)驗(yàn)證，全流程滿(mǎn)足車(chē)規(guī)級(jí)可靠性要求。未來(lái)將實(shí)現(xiàn)V2P功率模塊的規(guī)模放量，為國(guó)產(chǎn)碳化硅器件在新能源汽車(chē)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

　　產(chǎn)業(yè)鏈融合布局，深度合作樹(shù)立典范

　　事實(shí)上，項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)創(chuàng)立伊始即確立“芯粵能+芯聚能”的產(chǎn)業(yè)鏈融合布局。芯粵能和芯聚能在新能源汽車(chē)主驅(qū)領(lǐng)域，已構(gòu)建了從芯片設(shè)計(jì)、制造、到封測(cè)的垂直整合一體化產(chǎn)業(yè)模式，雙方緊密協(xié)同合作，共同推動(dòng)碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

　　芯粵能CTO相奇認(rèn)為，要打造優(yōu)秀的碳化硅功率器件，單獨(dú)優(yōu)化芯片或模塊都很難達(dá)到最優(yōu)效果。無(wú)論性能、可靠性還是成本，部分問(wèn)題在芯片端解決能獲得最佳效果，部分則在模塊端才能實(shí)現(xiàn)最優(yōu)解，還有部分需要兩端同時(shí)協(xié)同才能讓器件達(dá)到理想性能，這就需要前后端的密切配合與協(xié)作。在這個(gè)過(guò)程中，SDCO(System Device Co-Optimization，即“系統(tǒng)器件協(xié)同優(yōu)化”)的理念發(fā)揮了至關(guān)重要的作用。

　　得益于芯粵能與芯聚能的緊密協(xié)同，研發(fā)過(guò)程中的多項(xiàng)工作得以并行推進(jìn)，突破了傳統(tǒng)需等待上一流程完成后才啟動(dòng)下一流程的串行模式。在該產(chǎn)品開(kāi)發(fā)中，部分芯片驗(yàn)證與模塊驗(yàn)證同步進(jìn)行，顯著縮短了車(chē)規(guī)認(rèn)證周期。此外，V2P的成功上車(chē)也離不開(kāi)電驅(qū)總成企業(yè)及主機(jī)廠的積極參與。芯粵能、芯聚能及威睿電動(dòng)的通力合作對(duì)需求溝通與產(chǎn)品調(diào)優(yōu)起到了關(guān)鍵作用。

　　芯聚能已在新能源汽車(chē)領(lǐng)域取得了顯著成績(jī)，碳化硅主驅(qū)模塊累計(jì)交付量超過(guò)45萬(wàn)個(gè)，位居本土廠商前列。早期階段，芯聚能在芯片選型上面臨諸多挑戰(zhàn)。正如芯聚能執(zhí)行副總裁劉軍所說(shuō)：“芯聚能是吃百家飯長(zhǎng)大，各家的優(yōu)勢(shì)和不足我們心里都比較清楚。”這種深度行業(yè)認(rèn)知，為芯粵能產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)與性能優(yōu)化提供了寶貴的思路與方案。

　　

 

　　芯聚能 V2P功率模塊

　　以芯粵能第一代1200V 16mΩ SiC MOSFET主驅(qū)芯片為例，使用此款芯片開(kāi)發(fā)的V2P功率模塊展現(xiàn)出了全球領(lǐng)先的出流能力。這一優(yōu)勢(shì)離不開(kāi)雙方的緊密合作。劉軍指出，性能指標(biāo)不等于實(shí)際應(yīng)用表現(xiàn)。為此，芯聚能與芯粵能攜手，在產(chǎn)品定義階段就嚴(yán)苛錨定高起點(diǎn)。依托資深團(tuán)隊(duì)和先進(jìn)工藝，芯粵能和芯聚能共同打造出具備卓越出流能力的碳化硅芯片及模塊，彰顯了雙方協(xié)同創(chuàng)新的優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)。

　　在這個(gè)過(guò)程中，雙方融合高效，測(cè)試數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)共享、研發(fā)問(wèn)題即時(shí)共解。相奇表示：“(雙方)解決方案交流的速度是按小時(shí)算的，溝通效率非?？?，合作效果非常好。”這種機(jī)制極大縮短了開(kāi)發(fā)周期，提高了市場(chǎng)響應(yīng)速度。

　　目前，雙方不僅在第一代工藝上同步推進(jìn)，更在第二代、第三代產(chǎn)品上并行預(yù)研，目標(biāo)性能全面超越國(guó)際競(jìng)品并大幅降本。相奇認(rèn)為：“研發(fā)驅(qū)動(dòng)技術(shù)快速迭代，而技術(shù)迭代是降本的關(guān)鍵路徑。”

　　加速技術(shù)迭代，支撐“國(guó)芯國(guó)用”戰(zhàn)略

　　芯粵能與芯聚能通過(guò)芯片設(shè)計(jì)、芯片制造與模塊應(yīng)用的強(qiáng)耦合，雙方不僅實(shí)現(xiàn)了核心技術(shù)的深度融合與資源高效共享，更顯著加速了產(chǎn)品迭代進(jìn)程，降低了全鏈條開(kāi)發(fā)成本，共同構(gòu)筑起強(qiáng)大的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

　　此次芯聚能基于芯粵能第一代1200V 16mΩ SiC MOSFET主驅(qū)芯片打造的高性能V2P功率模塊成功量產(chǎn)上車(chē)，標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)碳化硅器件在核心性能與可靠性上已躋身國(guó)際前列。這不僅是單一產(chǎn)品的突破，更是國(guó)產(chǎn)碳化硅芯片通過(guò)深度協(xié)同實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量、規(guī)?；宪?chē)的典范。

　　展望未來(lái)，雙方將持續(xù)深化協(xié)同，依托第二代、第三代先進(jìn)工藝平臺(tái)的并行開(kāi)發(fā)與快速導(dǎo)入，驅(qū)動(dòng)國(guó)產(chǎn)碳化硅器件在性能與成本上實(shí)現(xiàn)雙重躍升，為新能源汽車(chē)、風(fēng)光儲(chǔ)充、低空經(jīng)濟(jì)、AI數(shù)據(jù)中心等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)提供更具競(jìng)爭(zhēng)力的“中國(guó)芯”解決方案。在“國(guó)芯國(guó)用”“國(guó)芯國(guó)造”的戰(zhàn)略指引下，芯粵能與芯聚能的深度協(xié)作，將開(kāi)啟國(guó)產(chǎn)新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的“芯”征程，持續(xù)為構(gòu)建自主可控、創(chuàng)新引領(lǐng)的中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈注入“芯”動(dòng)力。