9月23日消息，根據(jù)處理器龍頭英特爾(intel) 官方公布的信息指出，英特爾將在美國亞利桑那州興建的兩座新晶圓廠，預(yù)計9月24 日進行動土奠基儀式，屆時英特爾CEO Pat Gelsinger 將會親自到場出席活動。

　　今年年3月，在主題為“英特爾發(fā)力：以工程技術(shù)創(chuàng)未來”的全球直播活動中，英特爾CEO Pat Gelsinger 分享了IDM 2.0 的愿景，重啟晶圓代工業(yè)務(wù)，為大規(guī)模擴大產(chǎn)能，英特爾還宣布投資約200 億美元在美國亞利桑那州的Octillo 園區(qū)興建兩座新的晶圓廠。

　　該計劃在經(jīng)過了半年的準(zhǔn)備時間之后，英特爾正式宣布將于9 月24 日舉行新晶圓廠建造的動土奠基儀式，Pat Gelsinger 將與當(dāng)?shù)刂饕賳T出席這次活動，這也將是美國亞利桑那州歷史上最大規(guī)模的私營企業(yè)投資計劃。

　　英特爾表示，憑借其IDM 2.0 的策略，英特爾將致力于投資制造能力，以支持全球?qū)Π雽?dǎo)體大幅成長的需求。而公司計劃在亞利桑那州的Ocotillo 園區(qū)建造的兩座新的先進制程晶圓廠將支持英特爾產(chǎn)品不斷擴大的需求，并為代工客戶提供承諾的產(chǎn)能。

　　因為呼應(yīng)美國要讓半導(dǎo)體制造重返美國的計劃，晶圓代工龍頭臺積電就率先宣布，將在美國亞歷桑納州鳳凰城斥資120 億美元興建以5nm制程為主的晶圓廠。臺積電日前指出，目前該廠已進入動土施工階段，而相關(guān)員工也來臺積電極進行訓(xùn)練當(dāng)中，而依照規(guī)劃時程，該廠將在2024 年開始進行大規(guī)模的量產(chǎn)。

　　而除了臺積電之外，三星也已確定在美國興建第二座晶圓廠，新廠地點將落腳美國德州三星第一座晶圓廠的附近，預(yù)計斥資170 億美元的金額。另外，該廠的最新市場消息，三星將導(dǎo)入閘極全環(huán)電晶體(Gate-all-around，GAA)技術(shù)，并自2026 年開始進一步量產(chǎn)，企圖以技術(shù)填補量產(chǎn)時間的落后，企圖彎道超車臺積電。

　　隨著英特爾于9月24 日將舉行新晶圓廠動土奠基典禮，也意味著英特爾提升制造產(chǎn)能及在晶圓代工領(lǐng)域的布局的加速，未來在晶圓代工市場的競爭將更加激烈。
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